檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "SiC".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="單晶4H碳化矽"
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料,因此在高功率元件市場上有較大之需求,然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質,使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)擁有高崩潰電壓、寬能隙及高熱傳導率之材料特性,因此像是電動車等高功率元件市場上有較大的需求,然而單晶碳化矽晶圓具有高硬度與高抗化學之材料性質…